特許
J-GLOBAL ID：200903014405025821

マスクパターンの検査方法、検査装置、これに用いられる検査用データおよび検査用データ生成方法

発明者：
徳永 真也

徳永 真也 について

, 
辻川 洋行

辻川 洋行 について

, 
谷本 正

谷本 正 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-393946
公開番号（公開出願番号）：特開2004-191957
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】 TATの短縮とコストの削減を図ることの可能なフォトマスクの検査方法を提供する。【解決手段】 描画パターンデータに基づいて形成された半導体集積回路用のフォトマスクを検査する方法において、前記半導体集積回路の描画パターンを、所定の特徴基準に従って、複数のランクに分類して抽出する工程と、当該ランク毎に検査精度を決定し、この決定された検査精度を満たしているか否かによってフォトマスクの良否を判定する工程とを具備している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
描画パターンデータに基づいて形成された半導体集積回路用のフォトマスクを検査する方法において、 前記半導体集積回路の描画パターンを、当該描画パターンの特徴に応じて決定される基準に従って、 複数のランクに分類して抽出する工程と、 当該ランク毎に検査精度を決定し、 抽出された前記描画パターン毎に、この決定された検査精度を満たしているか否かによって、フォトマスクの良否を判定する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの検査方法。
IPC (3件)：
G03F1/08 ,  G01N21/956 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F1/08 S ,  G01N21/956 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (5件)：
2G051AA56 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD24
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特願2002-229215号
審査官引用 (4件)
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