半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川順三 , 中村盛夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076197
公開番号（公開出願番号）：特開2007-247043
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置などの容器内配設部材の耐久性の向上を図ること。【解決手段】金属製または非金属製基材の表面に、直接またはアンダーコート層を介して、周期律表IIIa族の酸化物を溶射することによって多孔質層からなる層を形成し、そしてその上に、電子ビームやレーザービームなどの高エネルギーを照射処理を施すことによって、二次再結晶層を形成することにより、半導体加工装置用セラミック被覆部材を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材の表面に、周期律表のIIIa族元素の酸化物を溶射して多孔質層を形成し、その多孔質層の表面に、この層を高エネルギー照射処理することによって二次再結晶層を形成する、ことを特徴とする半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 4/18 , C23C 4/10 , C23C 4/06 , C23C 26/00 , C23C 28/00 , H01L 21/306

FI (7件)：

C23C4/18 , C23C4/10 , C23C4/06 , C23C26/00 J , C23C26/00 M , C23C28/00 B , H01L21/302 101G

Fターム (35件)：

4K031AA01 , 4K031AB02 , 4K031AB03 , 4K031AB09 , 4K031CB21 , 4K031CB31 , 4K031CB33 , 4K031CB34 , 4K031CB36 , 4K031CB37 , 4K031CB42 , 4K031CB44 , 4K031CB45 , 4K031CB46 , 4K031DA04 , 4K031FA01 , 4K044AA03 , 4K044AA06 , 4K044AB05 , 4K044BA02 , 4K044BA06 , 4K044BA12 , 4K044BA13 , 4K044BA18 , 4K044BB01 , 4K044BB03 , 4K044BB13 , 4K044BC02 , 4K044BC11 , 4K044CA11 , 4K044CA13 , 4K044CA44 , 4K044CA62 , 4K044CA67 , 5F004BB29

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体製造用耐食性部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-155798 出願人：京セラ株式会社
プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-351546 出願人：トーカロ株式会社, 東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (7件)

熱放射性および耐損傷性に優れるY2O3溶射皮膜被覆部材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-069925 出願人：トーカロ株式会社
プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-351546 出願人：トーカロ株式会社, 東京エレクトロン株式会社
特開昭62-253758

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