特許
J-GLOBAL ID：200903057992631101
半導体製造用耐食性部材
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155798
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004083
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】SiO2 、Al2 O3 、AlN等よりも優れた耐食性を有する耐食性部材を提供する。【解決手段】半導体製造時に使用されるプラズマ処理装置やエッチング装置におけるSiウエハ固定用のクランプリングや上部電極周りのシールドリング、装置内壁材などの、SF6 、CF4 、CHF3 、ClF3 、HF等のフッ素系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位を、Sc、La,Ce、Eu、Dy等の周期律表第3a族元素の酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物などの化合物の薄膜や単結晶等によって形成する。
請求項（抜粋）：
フッ素系腐蝕ガスあるいはそのプラズマに曝される部位が、周期律表第3a族元素化合物からなることを特徴とする半導体製造用耐食性部材。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C01B 21/06
, H01L 21/205
, H01L 21/68
, C23C 16/44
H01L 21/302 B
, C01B 21/06 A
, H01L 21/205
, H01L 21/68 N
, C23C 16/44 B
