特許
J-GLOBAL ID：200903014443809950

電気的に活性なドープト結晶性Si含有膜の堆積方法

発明者：
マティアス バウアー

マティアス バウアー について


出願人/特許権者：
エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-025710
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216955
出願日： 2006年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】【解決手段】比較的高いレベルの第III族/第V族ドーパントを含有するSi含有膜の製造方法は、トリシランおよびドーパント前駆体を使用しての化学蒸着を包含する。少なくとも約3×1020原子cm-3の電気的に活性なドーパントを含有する結晶性ケイ素膜を含む、非常に高いレベルの置換型組み込みが、得られ得る。置換的にドープされたSi含有膜は、堆積の間にエッチャントガスを導入することによって、混合基板の結晶性表面上へ選択的に堆積され得る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
以下: チャンバ内に配置された基板を提供すること; トリシランおよびドーパント前駆体を混合して供給ガスを形成すること(該ドーパント前駆体は、電気的ドーパント(electrical dopant)を含む); 化学蒸着条件下で、該基板を該供給ガスと接触させること;および 少なくとも約10nm/分の堆積速度で、該基板上にドープト結晶性Si含有膜を堆積させること(該ドープト結晶性Si含有膜は、約1.0mΩ・cm以下の抵抗率を有する) を包含する、ドープト結晶性Si含有膜の堆積方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  C23C 16/24
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L29/78 301S ,  C23C16/24
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F140AA05 ,  5F140AA13 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BG18 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK18 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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