特許
J-GLOBAL ID：200903067946516077
ドーパント前駆体を用いた製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
三枝 英二
, 舘 泰光
, 眞下 晋一
, 松本 公雄
, 立花 顕治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-565340
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525509
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
シリコン合金およびドープシリコン膜が、III族およびV族の原子の供給源としてSiを含有する化学前駆体を用いた化学気相成長法およびイオン注入法によって調製される。好ましいドーパント前駆体には、(H3Si)3-xMRx、(H3Si)3N、および(H3Si)4N2(ここで、RはHまたはDであり、xは0、1または2であり、MはB、P、AsおよびSbからなる群の中から選択される)が含まれる。好ましい堆積法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。
請求項（抜粋）：
水素非添加のSi含有膜を製造するための堆積法であって、
内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、
少なくとも1個のシリコン原子および少なくとも1個のIII族またはV族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、および
水素非添加のSi含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含む堆積法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F045AA03
, 5F045AB01
, 5F045AB03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC19
, 5F045BB04
