特許

J-GLOBAL ID：200903014456349095

3-5族化合物半導体の製造方法

発明者： 平松 和政 ,  三宅 秀人 ,  坊山 晋也 ,  前田 尚良 ,  家近 泰
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270091
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077847
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 HVPE法によりELOを利用して転位密度の低いGaN系3-5族化合物半導体を製造するための方法を提供すること。【解決手段】 マスク層4を形成した第1の3-5族化合物半導体層3上に、HVPE法による再成長法により平坦な表面を有する第2の3-5族化合物半導体層5を形成するGaN系3-5族化合物半導体の製造方法において、水素ガスと窒素ガスとの混合キャリアガスを用いその混合比を制御して再成長により少なくとも{33-62}ファセットを含むファセット群の形成を制御し、一旦第1の3-5族化合物半導体層3と平行な面を消失するまで再成長を行い、転位密度の低い3-5族化合物半導体を製造する。

請求項（抜粋）：

マスクパターンを形成した窒化ガリウム系化合物半導体を含む下地結晶上に、再成長法により平坦な表面を有する窒化ガリウム系化合物半導体の埋め込み構造を作製する3-5族化合物半導体の製造方法において、再成長により少なくとも{33-62}ファセットを含むファセット群により一旦前記下地結晶と平行な面を消失させる工程を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (29件)：

5F041AA40 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F052CA04 ,  5F052DB06 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05