特許

J-GLOBAL ID：200903014463923260

プラズマドーピングシステムのためのドーズ量モニター

発明者： ファン,ツィウェイ ,  ゲックナー,マシュー
出願人/特許権者： バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-542358
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515945
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】プラズマドーピング装置はプラズマドーピングチェンバーとワークピースを支持するためのプラズマドーピングチェンバー内に配置されるプラテンとチェンバーに結合されるイオン化可能なガス源とプラテンから間隔があけられたアノードとプラテンとアノードとの間に電圧パルスを適用するパルス源とを含む。電圧パルスはワークピースの近傍でプラズマシースを有するプラズマを生成する。電圧パルスは正イオンをワークピースへの注入のためにプラズマシースを横切ってプラテンへと加速する。プラズマドーピング装置はプラズマシースを横切る正イオンのサンプルを収集するための少なくとも一つのファラデーカップを含む。サンプルはワークピースに注入される正イオンのドーズ量を示す。ファラデーカップは電子流出を抑制するために内部チェンバー内に横方向の電場を生成するように形状付けられ,これにより測定精度が改良される。

請求項（抜粋）：

プラズマドーピング装置であって, プラズマドーピングチェンバーと, 該プラズマドーピングチェンバー内に取り付けられ,ワークピースを支持するためのプラテンと, 前記チェンバーに連結され,前記ワークピースへの注入のための所望のドーパントを含むイオン化可能なガスソースと, 前記プラテンから間隔があけられるアノードと, 前記ワークピースの近傍に,プラズマシースを有するプラズマを生成するために,前記プラテンと前記アノードとの間に,電圧パルスを適用するパルスソースであって,前記プラズマが,前記イオン化可能なガスの正のイオンを含み,前記電圧パルスが,ワークピースへの注入のために,前記正のイオンを,プラズマシースを横切って前記プラテンに向けて加速するところのパルスソースと, 前記プラズマシースを横切って加速される前記正のイオンのサンプルを収集するための,前記プラテンに隣接して配置されるファラデーカップと,を含み, 前記プラテンおよびワークピースはカソードを構成し, 前記サンプルはワークピースに注入される正のイオンの数を示し, 前記ファラデーカップは多数の開口をもつカバーを有し, 前記ファラデーカップにより収集されたイオンは,前記開口を通り,ファラデーカップの内部チェンバーに至り,検出される,ところのプラズマドーピング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/32

FI (4件)：

C23C 14/48 B ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 T

Fターム (4件)：

4K029CA10 ,  4K029DE04 ,  4K029EA00 ,  4K029EA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227971   出願人：シヤープ株式会社
• 質量分析装置およびそれを備えるイオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-336338   出願人：日新電機株式会社
• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-212216   出願人：日新電機株式会社
• プラズマ注入システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-278564   出願人：イートンコーポレーション

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Ion energy distribution in plasma immersion ion implantation"