特許
J-GLOBAL ID：200903014501213884
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355337
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165309
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 青色や紫外光などの短波長の光を発振することのできる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子1は、主面3aを有する基板3と、主面3aが延びる方向に沿って基板3上に形成されたフォトニック結晶層7と、基板3上に形成されたn型クラッド層4と、基板3上に形成されたp型クラッド層6と、n型クラッド層4およびp型クラッド層6に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層5とを備えている。フォトニック結晶層7は、GaNよりなるエピタキシャル層2aと、エピタキシャル層2aよりも低屈折率である複数の孔2bとを含んでいる。活性層5から出た光のうち素子の内部に存在する光の3%以上をフォトニック結晶層7に導入できる程度に、フォトニック結晶層7と活性層5との距離d1が規定されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
主面を有する基板と、
窒化ガリウムよりなるエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層よりも低屈折率である低屈折率部分とを含み、前記主面が延びる方向に沿って前記基板上に形成された2次元回折格子と、
前記基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、
前記基板上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、
前記第1および前記第2導電型クラッド層に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層とを備え、
前記活性層から出た光のうち素子の内部に存在する光の3%以上を前記2次元回折格子に導入できる程度に、前記2次元回折格子と前記活性層との距離が規定されている、半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01S 5/323
, G02B 6/122
H01S5/12
, H01S5/323 610
, G02B6/12 A
2H047PA05
, 2H047PA21
, 2H047PA24
, 2H047RA08
, 5F173AA01
, 5F173AB02
, 5F173AB52
, 5F173AB90
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP42
, 5F173AQ03
, 5F173AR02
, 5F173AR23
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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