特許
J-GLOBAL ID：200903014526662608

窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について

, 
黒田 尚孝

黒田 尚孝 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について

, 
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088294
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284600
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】 簡便な方法で、低欠陥密度で不純物汚染の少ない窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板を提供する。【解決手段】 単結晶のサファイア基板、サファイア基板上に単結晶の窒化ガリウム膜を成長させた基板、単結晶の半導体結晶基板のいずれかからなる出発基板1上に金属膜2を堆積させ、金属膜2の上に窒化ガリウム膜4を堆積させた積層基板5を形成することにより、成長後の窒化ガリウム膜4と出発基板1との剥離が容易になる。
請求項（抜粋）：
単結晶のサファイア基板、サファイア基板上に単結晶の窒化ガリウム膜を成長させた基板、単結晶の半導体結晶基板のいずれかからなる出発基板上に金属膜を堆積させる工程と、該金属膜上に窒化ガリウム膜を堆積させる工程と、該窒化ガリウム膜を堆積させた積層基板から上記出発基板を除去し、自立した窒化ガリウムの結晶基板を得る工程とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (43件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045EB15 ,  5F045GB11 ,  5F045GH08 ,  5F045HA14 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • GaN単結晶およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-242967   出願人：三菱電線工業株式会社
  • GaN系半導体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-340691   出願人：豊田合成株式会社
  • GaN系結晶基板の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-188776   出願人：三菱電線工業株式会社
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