特許
J-GLOBAL ID：200903065707146516
GaN系半導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340691
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163404
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 GaN系半導体層を2段階に成長させることなく当該GaN系半導体層の格子欠陥を減少させる。即ち、出来るだけ少ない工程で出来るだけ高品質のGaN系半導体を提供する。【解決手段】 金属からなる基板又は導電性半導体と金属からなるバッファ層との積層体の上に基板又はバッファ層が部分的に露出するようにSiO2からなるパターン層が形成される。GaN系半導体層は露出した面から選択的に成長され、パターン層の上では横方向に成長し、その表面は平坦となる。
請求項（抜粋）：
金属からなる基板と、前記基板が部分的に露出するように形成されたパターン層と、露出した前記基板上に、前記パターン層を覆うように形成されたGaN系半導体層と、からなることを特徴とするGaN系半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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