薄膜の製造方法および薄膜製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100770
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290771
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：

【要約】【課題】従来の薄膜作成技術において基材の形状や導電性および保持方法に制約されずに、イオン化した材料粒子を基材表面に加速する方法を工業的に実現することを目的とする。【解決手段】真空に排気可能な容器内で、材料供給部と基材との間でプラズマを生成し、前記プラズマと同一空間に設置された電極の電位で前記プラズマの電位を制御しながら成膜を行うことを特徴とする薄膜の製造方法である。また、薄膜製造装置は、真空に排気可能な容器内に、材料供給部および基材保持部を少なくとも一つずつ備え、かつ前記材料供給部と前記基材保持部との間の空間にプラズマ生成手段を備え、さらに前記プラズマ生成手段で生成されるプラズマと同一空間に、プラズマ電位制御用電極を備えている。

請求項（抜粋）：

真空に排気可能な容器内で、材料供給部と基材との間でプラズマを生成し、前記プラズマと同一空間に設置された電極の電位で前記プラズマの電位を制御しながら成膜を行なうことを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/32 , C23C 14/34

FI (2件)：

C23C 14/32 B , C23C 14/34 U

Fターム (12件)：

4K029AA11 , 4K029DA02 , 4K029DB18 , 4K029DB19 , 4K029DB20 , 4K029DC28 , 4K029DC34 , 4K029DC35 , 4K029EA00 , 4K029JA01 , 4K029JA10 , 4K029KA03

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-310367
特開平4-028862
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-214691 出願人：日電アネルバ株式会社

全件表示

前のページに戻る