半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101514
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299591
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】用途の異なる半導体素子を混載することができる半導体装置を提供するを提供する。【解決手段】平坦な主面を有する半導体基板と、半導体基板の少なくとも2以上の素子形成領域に主面から異なる深さに埋め込まれた埋め込み絶縁膜と、埋め込み絶縁膜と主面との間にそれぞれ形成された2以上の用途の異なる半導体素子とを有する。半導体基板の主面から異なる深さに埋め込まれた埋め込み絶縁膜を有することで、各素子形成領域ごとに異なる厚さの活性層を、埋め込み絶縁膜と主面との間に形成することができる。用途の異なる半導体素子をその用途に適した厚みを有する活性層内に形成することができる。

請求項（抜粋）：

平坦な主面を有する半導体基板と、当該半導体基板の少なくとも2以上の素子形成領域に前記主面から異なる深さに埋め込まれた埋め込み絶縁膜と、前記埋め込み絶縁膜と前記主面との間にそれぞれ形成された2以上の用途の異なる半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/12 , H01L 21/76 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8249 , H01L 29/732 , H01L 21/331 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L 27/12 E , H01L 21/76 R , H01L 21/76 L , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 101 D , H01L 27/06 321 C , H01L 29/72 P , H01L 29/78 626 C

Fターム (57件)：

5F003AZ03 , 5F003BA25 , 5F003BA27 , 5F003BJ03 , 5F003BJ12 , 5F003BJ15 , 5F003BP25 , 5F003BP41 , 5F032AA07 , 5F032AA13 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032BA01 , 5F032BA06 , 5F032BB01 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032DA43 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F032DA74 , 5F048AA02 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AC07 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BE05 , 5F048BG05 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048CC06 , 5F048CC15 , 5F082AA02 , 5F082BA03 , 5F082BA04 , 5F082BA06 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC04 , 5F082BC09 , 5F082BC11 , 5F082EA09 , 5F082EA45 , 5F082FA16 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体構造部及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-131432 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
SOI入力保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170832 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-211876

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