特許
J-GLOBAL ID：200903014566603760

半導体集積回路装置および製造方法

発明者：
三木 浩史

三木 浩史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-359724
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173175
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 配線層間に形成されるMIMキャパシタを小型化し、同時に低温度係数と高信頼性を実現すること。【解決手段】 誘電率膜として、酸化ニオブを結晶化させた誘電体と、酸化アルミニウムとを積層した構造とする。結晶化により、酸化ニオブは高誘電率化し低損失となる。温度係数は、酸化アルミニウム積層で補償する。特に温度係数を小さくするために、酸化ニオブ層に対する酸化アルミニウム層の膜厚比を0.2から1、望ましくは0.4から0.7とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
キャパシタを有するアナログ集積回路または混合信号集積回路を備えた半導体集積回路装置であって、前記キャパシタの誘電体膜は、酸化アルミニウムを主体とする第一誘電体膜と結晶化した酸化ニオブを主体とする第二誘電体膜との積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (1件)：
H01L27/04 C
Fターム (11件)：
5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • MOM容量素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227817   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139534   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-359621   出願人：株式会社東芝

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