電子素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083094
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268724
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】同一の透明酸化物層内に半導体領域と導体領域との接合部を簡易な工程で製造することができる電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】透明導電性酸化物層19を陽極とし、透明導電性酸化物層19の表面から所定の間隔を隔てて原子間力顕微鏡の探針21を設置しこれを陰極とする。大気中において、探針21に負のバイアスを印加しながら、探針21を走査し電界を励起する。これにより、電界が励起された部分に酸素が注入され、透明導電性酸化物層19の一部領域の電気伝導度が低下し半導体となり、導体領域に隣接して半導体領域が形成される。この方法により、同一透明酸化物層内に半導体からなるチャネル領域と,導体領域からなるソース電極およびドレイン電極を備えた透明トランジスタを実現することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透明酸化物により形成された透明酸化物層を備え、前記透明酸化物層内に、導電性を示す導体領域と半導体的性質を示す半導体領域とを隣接して有することを特徴とする電子素子。

IPC (4件)：

H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301R , H01L29/78 616V , H01L29/78 619A , H01L29/78 618A , H01L29/78 627G , H01L21/265 W

Fターム (52件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD81 , 4M104DD94 , 4M104EE06 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110EE07 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG55 , 5F110HK07 , 5F110HK16 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK39 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP13 , 5F110PP26

引用特許：

出願人引用 (4件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-000047 出願人：科学技術振興事業団
トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082043 出願人：科学技術振興事業団

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