不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-026939
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188210
出願日： 2008年02月06日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる方法の提供。【解決手段】不純物活性化熱処理方法は、被処理体に対して不純物導入工程を実施した後の不純物の活性化熱処理において、第1の設定温度T1から第2の設定温度T2まで、昇温速度で昇温する。引き続いて第2の設定温度T2から第3の設定温度T3まで昇温速度で昇温した後、第3の設定温度T3で保持時間t2で保持し、その後第3の設定温度T3から第2の設定温度まで、最大速度よりも小さい最大速度以下の降温速度で降温する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被処理体に対して不純物導入工程を実施した後の不純物の活性化熱処理において、 Spike RTA を行いながら、当該Spike RTA の設定温度での保持時間の間に、より高温度でのミリセカンドアニールを少なくとも1回行うことを特徴とする不純物活性化熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/26 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L21/265 602B , H01L21/26 J , H01L29/78 301S , H01L29/78 301F

Fターム (11件)：

5F140AA10 , 5F140AA13 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BG09 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3699946号公報

審査官引用 (4件)

熱処理方法およびシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-548756 出願人：ボルテックインダストリーズリミテッド
デカボランドープによる超薄型エピチャネルを有する半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-382563 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置の製造方法およびアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-216807 出願人：株式会社東芝

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