特許

J-GLOBAL ID：200903014619882772

磁気記録素子及び磁気記録装置

発明者： 中村 志保 ,  森瀬 博史 ,  柳 暁志 ,  才田 大輔 ,  喜々津 哲
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182286
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021352
出願日： 2007年07月11日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】電流直接駆動による磁化反転の際に、磁化反転のバラツキを小さくすること、あるいは磁化反転を高速化すること、あるいは反転電流を低減させること、ができる磁気記録装置を提供する。【解決手段】磁化が第1の方向に実質的に固定された第1の強磁性層と、磁化の方向が可変の第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層と、磁化の方向が可変の第3の強磁性層と、を含む積層体を備え、前記積層体の各層の膜面に対して略垂直な方向に電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第2の強磁性層に作用させ、且つ前記第3の強磁性層の磁化を歳差運動させることにより発生する磁場を前記第2の強磁性層に作用させることにより、前記第2の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気記録素子が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化が第1の方向に実質的に固定された第1の強磁性層と、 磁化の方向が可変の第2の強磁性層と、 前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層と、 磁化の方向が可変の第3の強磁性層と、 を含む積層体を備え、 前記積層体の各層の膜面に対して略垂直な方向に電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第2の強磁性層に作用させ、且つ前記第3の強磁性層の磁化を歳差運動させることにより発生する磁場を前記第2の強磁性層に作用させることにより、前記第2の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気記録素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112

Fターム (40件)：

4M119AA03 ,  4M119AA05 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD22 ,  4M119DD25 ,  4M119DD27 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ13 ,  4M119KK10 ,  5F092AA01 ,  5F092AA04 ,  5F092AA15 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD28 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC07 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BC46 ,  5F092GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願公開第2007/0047294号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375090   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 記憶素子及びメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-318464   出願人：ソニー株式会社
• 記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-371601   出願人：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-268670   出願人：株式会社東芝