特許
J-GLOBAL ID：200903014634150826
窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、白色光源装置および表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151738
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 井戸層と障壁層との界面急峻性を改善し、前記窒化物半導体発光素子における、閾値電流密度の低減または発光強度の向上を目的とする。【解決手段】 井戸層と井戸層に接した障壁層とから構成されている発光層106を基板300上に形成した窒化物半導体発光素子であって、井戸層は、In、Ga、Nおよび元素Xから構成された窒化物半導体であるとともに、元素Xは、As、PもしくはSbから少なくとも一つ選択される元素であって、かつ、井戸層における、元素Xの原子分率X/(N+X)は、20%以下であり、障壁層は、Ga、Nおよび元素Yから構成された窒化物半導体であるとともに、元素Yは、As、PもしくはSbから少なくとも一つ選択される元素である、窒化物半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
井戸層と前記井戸層に接した障壁層とから構成されている発光層を基板上に形成した窒化物半導体発光素子であって、前記井戸層は、In、Ga、Nおよび元素Xから構成された窒化物半導体であるとともに、前記元素Xは、As、PもしくはSbから少なくとも一つ選択される元素であって、かつ、前記井戸層における、元素Xの原子分率X/(N+X)は、20%以下であり、前記障壁層は、Ga、Nおよび元素Yから構成された窒化物半導体であるとともに、前記元素Yは、As、PもしくはSbから少なくとも一つ選択される元素である、窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
5F041AA03
, 5F041AA13
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA05
, 5F073BA09
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB13
, 5F073CB20
, 5F073EA23
, 5F073FA13
, 5F073FA14
, 5F073FA15
