特許
J-GLOBAL ID：200903037042537566
量子井戸構造光半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058964
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 スロープ効率の向上及び閾値の低下が得られる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明による量子井戸構造光半導体素子は、量子障壁層106bと、III族元素及び窒素を含む2種類以上のV族元素によって形成された量子井戸層106aと、を有する活性領域を備えたIII-V族化合物半導体による量子井戸構造光半導体素子であって、該量子障壁層106bは、III族元素、及び窒素を含む2種類以上のV族元素によって形成されている。
請求項（抜粋）：
量子障壁層と、III族元素及び窒素を含む2種類以上のV族元素によって形成された量子井戸層と、を有する活性領域を備えたIII-V族化合物半導体による量子井戸構造光半導体素子であって、該量子障壁層は、III族元素、及び窒素を含む2種類以上のV族元素によって形成されている、量子井戸構造光半導体素子。
Fターム (12件)：
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB11
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA22
, 5F073DA25
, 5F073EA23
, 5F073EA29
