特許
J-GLOBAL ID：200903014663586854

半導体発光装置

発明者：
古川 千里

古川 千里 について

, 
中村 隆文

中村 隆文 について


出願人/特許権者：
東芝ディスクリートテクノロジー株式会社

東芝ディスクリートテクノロジー株式会社 について

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株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-025785
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310771
出願日： 2006年02月02日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】 UVによる劣化を抑えることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】 400nm以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子2と、少なくとも半導体発光素子2の光取出し面を被覆する紫外線吸収層6と、少なくとも紫外線吸収層6で被覆された半導体発光素子2を封止する封止樹脂7とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
400nm以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子と、 少なくとも前記半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線吸収層と、 少なくとも前記紫外線吸収層で被覆された前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、 を備えることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (12件)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CB36 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA55 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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