特許
J-GLOBAL ID：200903039667768917
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068734
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】金属性薄膜層を介して酸化物窓層を備えたIII族窒化物半導体発光素子において、発光の外部への取り出し効率を向上させる。【解決手段】発光の取出し方向に在る電極直下の領域を金属性薄膜層の非形成領域として、同領域に於いて酸化物結晶層とIII族窒化物半導体層とを直接、接触させる構成として電流阻止機能を果たす接合を形成する。特に、接触させる酸化物結晶層を、酸化亜鉛層を含む層とし、併せて、発光層から出射される紫外帯光を吸収できる構成とする。
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体発光層上に、n形またはp形のIII族窒化物半導体結晶層、金属性薄膜層、酸化物結晶層、および金属台座電極を有するIII族窒化物半導体発光素子において、金属台座電極が酸化物結晶層に接して設けられ、金属性薄膜層が金属台座電極の下部を除いた領域に形成されていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 A
5F041AA03
, 5F041AA14
, 5F041AA21
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
