半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102113
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294470
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】ゲイト電極の表面に有する陽極酸化物中の陽極酸化物中の不純物を除去し、かかるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのoff電流を低減する。【解決手段】金属または珪素でなるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであって、前記ゲイト電極は、該ゲイト電極の表面に前記金属または珪素の陽極酸化物を有し、前記陽極酸化物は、表面側の層と、内部側の層とを有し、前記表面側の層は、前記内部側の層より炭素原子の含有量が少なく、且つ前記内部側の層は、前記表面側の層より前記金属または珪素と前記金属または珪素の陽極酸化物との混合物の含有量が少ない。

請求項（抜粋）：

金属でなるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであって、前記ゲイト電極は、該ゲイト電極の表面に前記金属の陽極酸化物を有し、前記陽極酸化物は、表面側の層と、内部側の層とを有し、前記表面側の層は、前記内部側の層より炭素原子の含有量が少なく、且つ前記内部側の層は、前記表面側の層より前記金属と前記金属の陽極酸化物との混合物の含有量が少ないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 J , H01L 21/316 T , H01L 21/88 B , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

陽極酸化物及び陽極酸化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-074024 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-030220 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
陽極酸化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222810 出願人：株式会社日立製作所

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