特許
J-GLOBAL ID：200903014686443058
SiC薄膜におけるエピ前表面処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520864
公開番号（公開出願番号）：特表2006-528423
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
本発明は、マイクロエレクトロニクスおよび/またはオプトエレクトロニクス用途を対象とした半導体材料のウェーハを製造する方法に関する。上記方法は、酸化雰囲気中で材料をアニールする工程と、コロイダルシリカ粒子に基づく研磨剤を用いて研磨する工程とを含む。研磨工程は、半導体材料基板(12)が装着される研磨ヘッド(10)を用いて行うことができる。液体研磨剤は、例えば側部の導管(18)を経由して、ヘッドに導入される。圧力(20)および矢印(22)によって表される動作が、研磨パッド(14)に逆らって研磨を実施するために、ヘッド(10)に加えられる。特に、炭化珪素の場合、これら2工程の組み合わせは、満足できる表面状態を生じさせる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素ウェーハの表面を製造する方法であって、
前記ウェーハの表面における粗さを減ずるために酸化雰囲気中でアニールする工程と、
コロイダルシリカ粒子に基づく研磨剤を用いて研磨する工程と、
を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/04
, B24B 37/00
H01L21/304 622N
, B24B37/04 Z
, B24B37/00 H
, H01L21/304 622D
3C058AA07
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB04
, 3C058DA02
