特許

J-GLOBAL ID：200903090774707039

オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置

発明者： 大串 秀世 ,  谷本 智
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  日産自動車株式会社
代理人 (2件)： 三好 秀和 (外8名) ,  三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265873
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075909
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 微細なコンタクト・ウインドウの内部において、p型SiC領域への低いコンタクト抵抗ρcを実現する。【解決手段】 SiC基板1、SiC基板1の表面に形成されたp型SiC領域2、このp型SiC領域2の表面に形成された加熱反応層8、SiC基板1とp型SiC領域2との界面を覆う熱酸化膜3、熱酸化膜3の表面に配置された上部絶縁膜4、加熱反応層8の上部に配置された電極膜7とを有する。電極膜7には、配線導体素片9が接続されている。加熱反応層8は、p型SiC領域2の表面から上方に突出して形成されている。熱酸化膜3は、加熱反応層8が貫通する開口部を有し、且つSiC基板1とp型SiC領域2との界面を覆うように、SiC基板1の表面に接して配置されている。上部絶縁膜4は、熱酸化膜3とは組成若しくは密度の異なる絶縁膜である。

請求項（抜粋）：

炭化珪素(SiC)基板と、該SiC基板の表面に選択的に形成されたp型SiC領域と、該p型SiC領域の表面の一部から内部に進入し、且つ該p型SiC領域の表面から上方に突出して形成された加熱反応層と、該加熱反応層が貫通する第1の開口部を有し、前記SiC基板と前記p型SiC領域の表面に接して配置された熱酸化膜と、該熱酸化膜とは組成若しくは密度の異なる絶縁膜であって、前記第1の開口部に連続した第2の開口部を有し、且つ前記熱酸化膜の表面に配置された上部絶縁膜と、該上部絶縁膜の前記第2の開口部において、前記加熱反応層の上部に配置されたAl及びTiの少なくとも一方を含む金属からなる電極膜とからなることを特徴とするオーミック電極構造体。

IPC (13件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00

FI (11件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/91 F

Fターム (54件)：

4M104AA03 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F003BA97 ,  5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BE08 ,  5F003BH00 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH18 ,  5F003BH99 ,  5F003BJ93 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ03 ,  5F005AC04 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005GA01 ,  5F041AA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GS01 ,  5F102GS02

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-317374
  
• p型立方晶炭化ケイ素を用いたMOS構造素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234095   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平2-196421
  
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121530   出願人：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• 特開平2-045976
  
• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275127   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-341568   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252441   出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Contact resistance measurements on p-type 6H-SiC