特許
J-GLOBAL ID：200903021217447197

クロスポイント構造の半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
新村 尚之

新村 尚之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-172009
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353779
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 製造プロセス上の最小加工寸法で規定される最小メモリセル面積よりも小さいメモリセル面積のクロスポイント構造の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 同方向に延伸する複数の上部電極配線Tと上部電極配線Tの延伸方向と直交する方向に延伸する複数の下部電極配線Bを備え、上部電極配線Tと下部電極配線Bの間にデータを蓄積するための記憶材料体を形成してなるクロスポイント構造の半導体記憶装置であって、上部電極配線Tと下部電極配線Sの少なくとも何れか一方が、ストライプ状に段差を有するように加工された絶縁膜S1、S2の段差の側壁面に沿って形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
同方向に延伸する複数の上部電極配線と前記上部電極配線の延伸方向と直交する方向に延伸する複数の下部電極配線を備え、前記上部電極配線と前記下部電極配線の間にデータを蓄積するための記憶材料体を形成してなるクロスポイント構造の半導体記憶装置であって、 前記上部電極配線と前記下部電極配線の少なくとも何れか一方が、ストライプ状に段差を有するように加工された絶縁膜の前記段差の側壁面に沿って形成されていることを特徴とするクロスポイント構造の半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  H01L21/3205 ,  H01L43/08
FI (4件)：
H01L27/10 444Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L21/88 B
Fターム (32件)：
5F033HH07 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033KK07 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033MM03 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV16 ,  5F083CR15 ,  5F083FR01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA21 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083LA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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