特許
J-GLOBAL ID：200903014716822091

半導体装置

発明者：
中島 泰

中島 泰 について

, 
吉松 直樹

吉松 直樹 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 河宮 治 ,  山田 卓二 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-429022
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191178
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 ボイドを形成することなくディンプルにモールド樹脂を充填でき、モールド樹脂と金属部材との密着性を向上させた樹脂モールド型の半導体装置を提供する。【解決手段】 ディンプル10がヒートスプレッダ1に形成され、ヒートスプレッダ1上に半導体素子2が載置され、半導体素子2とリードフレーム4,5とが電気的に接続され、ヒートスプレッダ1がモールド樹脂9で封止された樹脂モールド型の半導体装置である。ディンプル10の側壁は内方に突き出した返り部を有し、ヒートスプレッダ1に設けられた溝部とディンプル10とは連通されている。ディンプル10はリードフレーム4,5に形成されても良い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ディンプルがヒートスプレッダに形成され、該ヒートスプレッダ上に半導体素子が載置され、該半導体素子とリードフレームとが電気的に接続され、該ヒートスプレッダがモールド樹脂で封止された樹脂モールド型の半導体装置であって、 該ディンプルの側壁が内方に突き出した返り部を有し、該ヒートスプレッダに設けられた溝部と該ディンプルとが連通したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L23/28
FI (1件)：
H01L23/28 A
Fターム (4件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109FA04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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