特許
J-GLOBAL ID：200903014734261854

酸化亜鉛光デバイス、酸化亜鉛光デバイスの利用方法、および酸化亜鉛半導体レーザー

発明者：
趙 新為

趙 新為 について


出願人/特許権者：
学校法人東京理科大学

学校法人東京理科大学 について


代理人 (1件)： 岩根 正敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-372927
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173739
出願日： 2005年12月26日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にpn接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。【解決手段】一方の面に導電薄膜2が設けられたp型シリコン基板1と、上記p型シリコン基板2の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜3と、上記n型酸化亜鉛薄膜3の他方の面に形成された第1の光透過性導電薄膜4とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記p型シリコン基板1の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記p型シリコン基板1と上記n型酸化亜鉛薄膜3をpn接合させたことを特徴とする酸化亜鉛光デバイス。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の面に導電薄膜が設けられたp型シリコン基板と、上記p型シリコン基板の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜と、上記n型酸化亜鉛薄膜の他方の面に形成された第1の光透過性導電薄膜とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記p型シリコン基板の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記p型シリコン基板と上記n型酸化亜鉛をpn接合させたことを特徴とする、酸化亜鉛光デバイス。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/363 ,  H01S 5/327
FI (5件)：
H01L33/00 D ,  C23C14/08 C ,  C23C14/08 D ,  H01L21/363 ,  H01S5/327
Fターム (25件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029GA01 ,  5F041AA11 ,  5F041AA42 ,  5F041CA03 ,  5F041CA33 ,  5F041CA41 ,  5F041CA64 ,  5F041CA88 ,  5F103AA10 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F173AH31 ,  5F173AH48 ,  5F173AP07 ,  5F173AR02 ,  5F173AR94
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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