半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168004
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004047
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】本願は、光出力を常にモニターしながら一定の光出力を確保し、発光素子の信頼性を向上させる事を目的とする。【解決手段】本願発明は、光が照射されると電圧を発生する受光素子と、前記受光素子に積層して設けられた発光素子とを具備する事を特徴としている。

請求項（抜粋）：

光が照射されると電圧を発生する受光素子と、前記受光素子の上に積層して設けられた発光素子と、を具備する事を特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 27/15

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 27/15 D

Fターム (5件)：

5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA91 , 5F041CA98 , 5F041CB32

引用特許：

審査官引用 (4件)

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