薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-213183
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049419
出願日： 2008年08月21日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。【解決手段】基板100と、基板上に位置し、チャネル領域162、ソース領域161、およびドレイン領域163を含む半導体層160と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜170を介し対向して設けられたゲート電極210と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極240aおよびドレイン電極240bと、を含む。【選択図】図2F

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に位置し、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む半導体層と、前記半導体層の前記チャネル領域とゲート絶縁膜を介し対向して設けられたゲート電極と、前記半導体層の前記チャネル領域以外の領域の上部または下部に前記ゲート電極と離隔されて位置した、前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、前記半導体層の前記ソース領域および前記ドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極およびドレイン電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H01L 21/20 , H01L 21/322

FI (9件)：

H01L29/78 627Z , H01L29/78 627G , H01L29/78 616U , H01L29/78 617M , H01L29/78 617L , H05B33/10 , H05B33/14 A , H01L21/20 , H01L21/322 G

Fターム (81件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ08 , 5F110QQ28 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD17 , 5F152CE05 , 5F152CE12 , 5F152CE15 , 5F152CE35 , 5F152CE45 , 5F152CF13 , 5F152CF14 , 5F152CF18 , 5F152CF26 , 5F152DD07 , 5F152EE16 , 5F152FF01 , 5F152FF11 , 5F152FF22 , 5F152FF43

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-292239 出願人：シャープ株式会社
電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-304067 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312344 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (4件)

電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-304067 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312344 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-082948 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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