特許
J-GLOBAL ID：200903095885408806
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082948
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261075
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極としてアルミ材料を用いたTFTを高い歩留りで実現するための技術を提供する。【解決手段】 ゲート電極をタンタル層110とアルミニウム層105との積層膜で形成した後、活性層にリン元素をドーピングして450°C〜700°Cの熱処理を加えることにより、不純物元素(主にニッケル)のゲッタリングを行う。この構造ではタンタル層110がストッパーとなり、450°C〜700°Cの温度範囲であってもアルミニウム原子がゲート絶縁膜中へ侵入するのを防ぐことができる。また、タンタル層110の端部はタンタルオキサイド112となり、LDD領域を形成する上でゲート絶縁膜へのイオン注入ダメージを低減する効果を持つ。
請求項（抜粋）：
同一基板上に形成された複数のTFTを有する半導体回路を含む半導体装置であって、前記TFTは、バルブ金属層とアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層してなるゲート電極と、前記ゲート電極と接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接する高抵抗領域と、前記高抵抗領域に接するソース領域またはドレイン領域とを有し、前記ソース領域または前記ドレイン領域には珪素の結晶化を助長する金属元素が高濃度に含まれており、前記高抵抗領域には前記金属元素が低濃度に含まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 618 G
