多結晶薄膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩間芳雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247672
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087846
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】高品質な多結晶透明導電膜、多結晶シリコン薄膜、多結晶強誘電体膜などの多結晶薄膜を能率良く形成できる多結晶薄膜の形成方法を提供すること。【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、反応性ガスを含有するガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態のガスに晒し薄膜を形成した後、例えば、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、水素、窒素、不活性ガスのうちの少なくとも1種類のガスを流通させた雰囲気下で、薄膜にレーザービームを照射してレーザーアニールを施す多結晶薄膜の形成方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、反応性ガスを含有するガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態のガスに晒し薄膜を形成した後、薄膜にレーザービームを照射してレーザーアニールを施すことを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/268 , H01L21/322

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/268 F , H01L21/322 Z

Fターム (17件)：

5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AE29 , 5F045AF07 , 5F045DP23 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH12 , 5F045HA17 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052FA19 , 5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体材料の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-350547 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-080577
多結晶シリコンの形成方法及び形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-309497 出願人：日本真空技術株式会社

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