特許

J-GLOBAL ID：200903014859117054

SiCモニタウェハ製造方法

発明者： 山田 公 ,  松尾 二郎 ,  豊田 紀章 ,  村田 和俊 ,  宮武 直正
出願人/特許権者： 三井造船株式会社
代理人 (1件)： 村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045725
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249426
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 パーティクル検出が可能となるまで表面を平坦にすることのできるSiCモニタウェハを得る。【解決手段】 CVD(Chemical Vapor Deposition)法で結晶系3CのSiCを基板上に堆積させ、このSiCを基板から脱離する。このSiCを機械研磨単独またはCMP(Chemo Mechanical Polishing)との併用によりSiC表面を平坦化させた後、その表面粗さがRa=0.5nm以下、かつウェハ表面の不純物密度を1×1011atoms/cm2以下となるまで、GCIB(Gas Cluster Ion Beam)を表面に照射して作製する。

請求項（抜粋）：

CVD(Chemical Vapor Deposition)法で結晶系3CのSiCを基板上に堆積させ、このSiCを基板から脱離、機械研磨単独またはCMP(Chemo Mechanical Polishing)との併用によりSiC表面を平坦化させた後、その表面粗さがRa=0.5nm以下、かつウェハ表面の不純物密度を1×1011atoms/cm2以下となるまで、GCIB(Gas Cluster Ion Beam)を表面に照射して作製することを特徴とする超平坦で清浄な表面を有するSiCモニタウェハ製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/02 B ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077FG02 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ01 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045HA13

引用特許：

出願人引用 (5件)

• SiCダミーウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-286131   出願人：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
• SiCダミーウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260963   出願人：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
• 炭化ケイ素モニタウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260962   出願人：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
• 炭化ケイ素ウエハの表面汚染除去方法および炭化ケイ素ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-013378   出願人：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
• ダミーウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-185581   出願人：日清紡績株式会社