特許
J-GLOBAL ID：200903014879411315

半導体装置の製造方法

発明者：
増田 修一

増田 修一 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-174094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022718
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】ラジカル酸化法を用いて丸め酸化を行っても、シリコン窒化膜のプルバックエッチングを行えるようにする。【解決手段】開示される半導体装置の製造方法は、シリコン酸化膜2及びシリコン窒化膜3を順次に積層したシリコン基板1にトレンチ4を形成した後、トレンチ4の表面のみにシリコン酸化膜を形成し、かつシリコン窒化膜3の表面にはほとんどシリコン酸化膜を形成しない酸化法によりシリコン基板1を酸化して、トレンチ4の表面にシリコン酸化膜5を形成してシリコン窒化膜3のプルバックエッチングを行い、続いてラジカル酸化法によりトレンチ4の表面の肩部を丸める丸め酸化を行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成した溝内に絶縁物を埋め込んで素子分離領域を形成し、該素子分離領域により絶縁分離された半導体領域に所望の素子を形成する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体基板上に酸化膜及び窒化膜を順次に積層するように形成し、前記素子分離領域の形成予定領域の前記窒化膜及び前記酸化膜を選択的にエッチングした後、前記窒化膜をマスクとして前記半導体基板を選択的にエッチングして前記溝を形成する溝形成工程と、 前記溝の表面のみに酸化膜を形成し、かつ前記窒化膜の表面にはほとんど酸化膜を形成しない酸化法により前記半導体基板を酸化する半導体基板酸化工程と、 前記窒化膜の開口部の幅が前記溝の開口部の幅よりも広くなるように前記窒化膜のプルバックエッチングを行う窒化膜プルバック工程と、 ラジカル酸化法により前記溝の表面の肩部を丸める丸め酸化を行うラジカル酸化工程と、 前記溝内に前記絶縁物を埋め込む絶縁物埋め込み工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/76
FI (1件)：
H01L21/76 L
Fターム (11件)：
5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA70 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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