特許
J-GLOBAL ID：200903014880061891
裏面照射型撮像素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143804
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300551
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】素子特性の向上、歩留まりの向上、及び混色の低減等を実現することが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。【解決手段】シリコン基板1の裏面側から光を照射し、前記光に応じてシリコン基板1内で発生した電荷を、シリコン基板1の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、シリコン基板1の裏面上に形成された裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層(8,9,10)と、シリコン基板1の表面上に形成された表面側の素子を構成する表面側素子構成層(2,3,4,5)と、表面側素子構成層上方に形成された支持基板6と、シリコン基板1と支持基板6との間隔を均一にするためのスペーサであって、表面側素子構成層(5)に一端が接触し、支持基板6に他端が接触するスペーサSと、スペーサSによって形成された表面側素子構成層と支持基板6との間の空間に充填された接着材7とを備える。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の裏面上に形成された前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層と、
前記半導体基板の表面上に形成された前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層と、
前記表面側素子構成層上方に形成された支持基板と、
前記半導体基板と前記支持基板との間隔を均一にするためのスペーサであって、前記表面側素子構成層に一端が接触し、前記支持基板に他端が接触するスペーサと、
前記スペーサによって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に充填された接着材とを備える裏面照射型撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148
, H01L 27/146
H01L27/14 B
, H01L27/14 A
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA32
, 4M118EA01
, 4M118GA02
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118HA30
