特許
J-GLOBAL ID：200903011006036306

固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法

発明者：
村松 真文

村松 真文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-095873
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285988
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 先に半導体基体の表面側に形成された配線層に熱的影響を与えずに支持基板を貼り合わせることができる固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基体4内に複数の光電変換素子PDを形成する工程と、半導体基体4の表面側に、絶縁層7中に配線層8を有する配線部を形成する工程と、配線部のさらに表面側に、配線層8の劣化開始温度よりも低い温度で硬化する材料からなる接着剤層9を形成し、配線層8の劣化開始温度よりも低い温度で熱処理を行うことにより、接着剤層9を介して支持基板30を貼り合わせる工程と、半導体基体4を裏面側から薄くする工程とを有するようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基体内に複数の光電変換素子を形成する工程と、 前記半導体基体の表面側に、絶縁層中に配線層を有する配線部を形成する工程と、 前記配線部のさらに表面側に、前記配線層の劣化開始温度よりも低い温度で硬化する材料からなる接着剤層を形成し、前記配線層の劣化開始温度よりも低い温度で熱処理を行うことにより、前記接着剤層を介して支持基板を貼り合わせる工程と、 前記半導体基体を裏面側から薄くする工程とを有する ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L27/14
FI (1件)：
H01L27/14 D
Fターム (10件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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