発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131328
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329887
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】気相成長法により発光層部をなす半導体層を形成する際に、原料ガスの反応効率を飛躍的に高めることができ、ひいては、結晶欠陥の少ない高品質の半導体層を容易に実現できる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板を配置した反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずる半導体材料を基板の主表面上に堆積させることにより、発光層部をなす半導体層を気相成長させる。そして、半導体層を気相成長する際に、基板主表面と原料ガスとに紫外線を照射する。

請求項（抜粋）：

基板を配置した反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずる半導体材料を前記基板の主表面上に堆積させることにより、発光層部をなす半導体層を気相成長させる工程を有し、該半導体層を気相成長する際に、前記反応容器内に導入された原料ガスに紫外線を照射することを特徴とする発光素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , C30B 25/02 , C30B 29/16 , C30B 29/22 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 33/00 D , C30B 25/02 Z , C30B 29/16 , C30B 29/22 Z , H01L 21/205

Fターム (38件)：

4G077AA03 , 4G077BB02 , 4G077BB07 , 4G077BC60 , 4G077DB08 , 4G077DB25 , 4G077TB05 , 4G077TB08 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F045AA04 , 5F045AA11 , 5F045AB22 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EK12 , 5F045EK17 , 5F045EK19

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-280975
レーザCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-150134 出願人：日本電気株式会社
特開平4-037117

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