特許

J-GLOBAL ID：200903097851266290

高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法

発明者： 太田 裕道 ,  折田 政寛 ,  細野 秀雄 ,  川副 博司
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281495
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 基板を含めた450〜800nmにおける可視光線透過率に優れ、単結晶性が高い酸化亜鉛薄膜を有する物品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】イットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品。YSZ基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に、酸化亜鉛焼結体をターゲットとして用いる薄膜法により、高単結晶性酸化亜鉛薄膜を形成することを含む高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品の製造方法。

請求項（抜粋）：

イットリア安定化ジルコニア(以下、YSZと略記する)基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有することを特徴とする物品。

IPC (4件)：

C30B 29/16 ,  B32B 17/06 ,  B32B 18/00 ,  B32B 27/06

FI (4件)：

C30B 29/16 ,  B32B 17/06 ,  B32B 18/00 B ,  B32B 27/06

Fターム (29件)：

4F100AA00A ,  4F100AA25B ,  4F100AA25K ,  4F100AA27C ,  4F100AA27K ,  4F100AG00A ,  4F100AK01A ,  4F100AT00A ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JA11K ,  4F100JG01 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JN01 ,  4F100YY00B ,  4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA03 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化亜鉛薄膜の製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-185453   出願人：ライオン株式会社
• 特開平2-259062
  
• 蒸着薄膜の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-127495   出願人：三菱化成株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-204432   出願人：ティーディーケイ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Formation of a zinc oxide/yttria-stabilized zirconia interface