特許
J-GLOBAL ID：200903097851266290

高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法

発明者：
太田 裕道

太田 裕道 について

, 
折田 政寛

折田 政寛 について

, 
細野 秀雄

細野 秀雄 について

, 
川副 博司

川副 博司 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281495
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：
【要約】【課題】 基板を含めた450〜800nmにおける可視光線透過率に優れ、単結晶性が高い酸化亜鉛薄膜を有する物品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】イットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品。YSZ基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に、酸化亜鉛焼結体をターゲットとして用いる薄膜法により、高単結晶性酸化亜鉛薄膜を形成することを含む高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品の製造方法。
請求項（抜粋）：
イットリア安定化ジルコニア(以下、YSZと略記する)基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有することを特徴とする物品。
IPC (4件)：
C30B 29/16 ,  B32B 17/06 ,  B32B 18/00 ,  B32B 27/06
FI (4件)：
C30B 29/16 ,  B32B 17/06 ,  B32B 18/00 B ,  B32B 27/06
Fターム (29件)：
4F100AA00A ,  4F100AA25B ,  4F100AA25K ,  4F100AA27C ,  4F100AA27K ,  4F100AG00A ,  4F100AK01A ,  4F100AT00A ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JA11K ,  4F100JG01 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JN01 ,  4F100YY00B ,  4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA03 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM