半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242169
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】アイソレーションの悪化を防ぐとともに動作を安定させる。【解決手段】半導体基板の主表面にドレインとゲートとソースからなる単位セルを互いに隣接して複数個整列したユニットと、このドレインの長手方向と直交する方向に延在し、各単位セルのドレインを共通接続したドレイン引き出し電極12aと、ドレイン引き出し電極12aとは上記ユニットに対し対向する辺に位置し、ゲート長手方向と直交する方向に延在し、各単位セルのゲートを共通接続したゲート引き出し電極12bと、上記ドレイン引き出し電極12aの一端に設けられたドレインパッド21と、上記ゲート引き出し電極12bの一端でありかつドレインパッド21とは反対側の端に設けられたゲートパッド22とからなるトランジスタユニットを少なくとも2つ有する。隣接するトランジスタユニットのドレイン引き出し電極12a同士、またはゲート引き出し電極12b同士を近接して配置したものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面にドレインとゲートとソースからなる単位セルを互いに隣接して複数個整列したユニットと、このドレインの長手方向と直交する方向に延在し、各単位セルのドレインを共通接続したドレイン引き出し電極と、前記ドレイン引き出し電極とは前記ユニットに対し対向する辺に位置し、ゲート長手方向と直交する方向に延在し、各単位セルのゲートを共通接続したゲート引き出し電極と、前記ドレイン引き出し電極の一端に設けられたドレインパッドと、前記ゲート引き出し電極の一端でありかつ前記ドレインパッドとは反対側の端に設けられたゲートパッドとからなるトランジスタユニットを少なくとも2つ有し、隣接するトランジスタユニットのドレイン引き出し電極同士、またはゲート引き出し電極同士を近接して配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 E , H01L 29/80 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

高周波用電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335979 出願人：日本電気株式会社
特開平3-289143
絶縁ゲート半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-326010 出願人：株式会社日立製作所

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