薄膜製造装置およびその装置を用いた薄膜製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-346033
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149917
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】アノード電極およびカソード電極が加熱された際に、それらの間の対向間隔の狂いを減少させること。【解決手段】薄膜製造装置は、反応室と、反応室内に反応ガスを導入するガス導入部と、反応室内の反応ガスを排気する排気部と、反応室内に設けられる平板状の第1および第2電極と、第1および第2電極を平行にそれぞれ支持する第1および第2支持体と、第1および第2電極の間に高周波電力を印加する高周波電源部と、第1および第2電極の一方を加熱する加熱部とを備え、加熱される電極に成膜されるべき基板が搭載され、第1および第2電極の少なくとも一方が熱膨張方向に移動可能に支持される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室と、反応室内に反応ガスを導入するガス導入部と、反応室内の反応ガスを排気する排気部と、反応室内に設けられる平板状の第1および第2電極と、第1および第2電極を平行にそれぞれ支持する第1および第2支持体と、第1および第2電極の間に高周波電力を印加する高周波電源部と、第1および第2電極の一方を加熱する加熱部とを備え、加熱される電極に成膜されるべき基板が搭載され、第1および第2電極の少なくとも一方は対応する支持体によって熱膨張方向に移動可能に支持される薄膜製造装置。

IPC (2件)：

C23C16/509 , H01L21/205

FI (2件)：

C23C16/509 , H01L21/205

Fターム (14件)：

4K030FA03 , 4K030KA15 , 4K030KA23 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH14 , 5F045EK08

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第4264393号明細書
半導体基板用プラズマ表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-089284 出願人：ローム株式会社
真空処理装置の高周波電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306510 出願人：日本真空技術株式会社

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審査官引用 (3件)

半導体基板用プラズマ表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-089284 出願人：ローム株式会社
真空処理装置の高周波電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306510 出願人：日本真空技術株式会社
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-277697 出願人：三洋電機株式会社

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