特許
J-GLOBAL ID：200903014957173027

集積半導体装置

発明者：
山田 浩

山田 浩 について

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板谷 和彦

板谷 和彦 について

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小野塚 豊

小野塚 豊 について

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舟木 英之

舟木 英之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-040878
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200274
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】異なる複数個の半導体デバイス間を固定する絶縁材料である有機樹脂部分での応力破壊をなくし、集積半導体装置の接続信頼性を向上させることを可能とする集積半導体装置(擬似SOCチップ)を提供すること。【解決手段】集積素子回路または素子外形寸法の異なる複数個のLSIチップ2およびMEMSチップ3と、複数個のLSIチップ2およびMEMSチップ3の間に配置される絶縁材料4と、複数個のLSIチップ2およびMEMSチップ3と絶縁材料4上に全体的に配置される有機絶縁膜7と、有機絶縁膜7上に配置され、複数個のLSIチップ2およびMEMSチップ3を互いに接続する微細薄膜配線8と、複数個のLSIチップ2およびMEMSチップ3が配置されている領域上に選択的に配置されるI/O電極10と、I/O電極10上に形成されるバンプ電極5と、を備えたこと、を特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
集積素子回路または素子外形寸法の異なる複数個の半導体素子と、 前記複数個の半導体素子の間に配置される絶縁材料と、 前記複数個の半導体素子と前記絶縁材料上に全体的に配置される有機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に配置され、前記複数個の半導体素子を互いに接続する微細薄膜配線と、 前記複数個の半導体素子が配置されている領域上に選択的に配置されるI/O電極と、 前記I/O電極上に形成されるバンプ電極と、を備えたこと、 を特徴とする集積半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/04 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/04 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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