特許

J-GLOBAL ID：200903014957707005

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 岡 哲史 ,  田村 明威
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114804
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309070
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 表面状態が良好なエピタキシャルウェーハを製造することを可能とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板Wの主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。反応容器内に、500°C以上800°C未満で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程を行う。反応容器内のシリコン基板Wを、水素雰囲気中800°C以上1000°C以下で熱処理する水素熱処理工程を行う。反応容器内のシリコン基板Wの主表面上に、550°C以上750°C未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。

請求項（抜粋）：

減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板の主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記反応容器内に、500°C以上800°C未満の温度条件下で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程と、前記反応容器内のシリコン単結晶基板を、水素雰囲気中800°C以上1000°C以下の温度条件下で熱処理する水素熱処理工程と、前記反応容器内のシリコン単結晶基板の主表面上に、550°C以上750°C未満の温度条件下でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

Fターム (17件)：

5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045EG03 ,  5F045HA02 ,  5F045HA06 ,  5F045HA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 珪素単結晶基板表面の平滑化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-209714   出願人：信越半導体株式会社
• 薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-188233   出願人：株式会社アルバック
• 半導体基板の製造方法及びその使用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-154250   出願人：ワッカージルトロニックゲゼルシャフトフュアハルプライターマテリアーリエンアクチエンゲゼルシャフト
• 気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066883   出願人：信越半導体株式会社