特許
J-GLOBAL ID：200903014983854679
電解処理方法、電解液および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237310
公開番号（公開出願番号）：特開2000-064083
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：
【要約】【課題】 電解めっきなどの電解処理を行うときに電解液中に発生する気泡を低減し、良好な電解処理を行うことができる電解処理方法、電解液およびこの電解液による電解めっき法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 消泡剤として非イオン系界面活性剤を0.01〜5%添加した電解液を用いて電解めっきなどの電解処理を行う。非イオン系界面活性剤としては、アセチレンジオール系界面活性剤、エチレングリコール系界面活性剤、ポリエチレングリコール系界面活性剤などを用いる。銅を電解めっきする場合は、硫酸銅水溶液に消泡剤として非イオン系界面活性剤を添加した電解液を用いる。
請求項（抜粋）：
電解液を用いて被処理物の電解処理を行うようにした電解処理方法において、消泡剤として非イオン系界面活性剤が添加された電解液を用いるようにしたことを特徴とする電解処理方法。
IPC (4件)：
C25D 3/02
, C25D 3/38
, C25F 3/04
, H01L 21/288
C25D 3/02
, C25D 3/38
, C25F 3/04 A
, H01L 21/288 E
4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CB03
, 4K023CB05
, 4K023CB14
, 4K023DA11
, 4M104BB32
, 4M104CC01
, 4M104DD52
, 4M104FF18
