特許
J-GLOBAL ID：200903015038535040

非単結晶薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者：
佐々木 敏明

佐々木 敏明 について


出願人/特許権者：
株式会社富士電機総合研究所

株式会社富士電機総合研究所 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013122
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203374
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】微結晶相を含む非晶質薄膜からなるp型半導体層またはn型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なi型半導体層、非晶質薄膜からなるn型半導体層またはp型半導体層で構成されるpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。【解決手段】微結晶相を含む非晶質薄膜からなるp型半導体層6とi型半導体層4との間に、1〜8nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのp/i界面層5を設ける。
請求項（抜粋）：
非晶質薄膜からなるp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、少なくとも一つのpin接合のp型半導体層あるいはn型半導体層が微結晶相を含む非晶質膜からなり、その微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質膜からなるi型半導体層との間に、1ないし8nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドを有することを特徴とする非単結晶薄膜太陽電池。
Fターム (6件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)
  • 第46回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集, 1999, No.2, p.997
  • 第60回応用物理学学術講演会 講演予稿集, 1999, No.2, p.810
  • J.J.A.P., 1989, Vol.28,No.10, pp.L1708-1711

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