特許
J-GLOBAL ID：200903015099947244
半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077777
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 しきい値および動作電流の低減。【解決手段】 第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面に形成される第1導電型の下クラッド層と、前記クラッド層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成され一部にストライプ状のリッジを有する上クラッド層と、前記上クラッド層上に形成されかつ前記リッジを挟むように配置形成される一対の第2導電型のブロック層と、前記リッジおよび前記ブロック層を被う第2導電型のキャップ層と、前記キャップ層上に形成される第1の電極と、前記半導体基板の裏面に形成される第2の電極とからなる半導体レーザを有するリッジ型半導体レーザ素子であって、前記リッジから外れる活性層部分は不純物の拡散による無秩序化層になっている。活性層は多重量子井戸構造である。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面に形成される第1導電型の下クラッド層と、前記下クラッド層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成され一部にストライプ状のリッジを有する第2導電型の上クラッド層と、前記上クラッド層の前記リッジ上または上クラッド層全域上に形成される第2導電型のキャップ層と、少なくとも前記キャップ層上に形成される第1の電極と、前記半導体基板の裏面に形成される第2の電極とからなる半導体レーザを有する半導体レーザ素子であって、前記リッジから外れる活性層部分は不純物の拡散による無秩序化層になっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (14件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA76
, 5F073AB05
, 5F073BA02
, 5F073BA07
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073DA13
, 5F073DA14
, 5F073DA15
, 5F073DA16
, 5F073EA14
, 5F073EA23
