特許
J-GLOBAL ID：200903001367577110
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143963
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326526
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】高出力半導体レーザの端面をレーザ光に対して透明化し、素子の高信頼度化を実現する。【解決手段】第一の導電性を有する半導体基板上に形成された第一の導電性を有するクラッド層,量子井戸構造を有する活性層,第二の導電性を有するクラッド層,第二の導電性を有するクラッド層により形成されたリッジからなる半導体レーザ装置において、リッジをレーザ端面から離間させて形成し、リッジ及びその近傍以外の活性層、及びレーザ端面部の活性層の量子井戸構造を混晶化し、又は活性層の超格子を無秩序化する。混晶化、又は無秩序化にはZn,SiやSeの拡散、又はH,As,P,Ga,Zn,Se、又はSiイオン又は原子のインプランテーションを用いる。
請求項（抜粋）：
第一の導電性を有する半導体基板上に形成された第一の導電性を有するクラッド層,量子井戸構造を有する活性層,第二の導電性を有するクラッド層、前記第二の導電性を有するクラッド層により形成されたリッジを含む半導体レーザ装置において、前記リッジがレーザ端面近傍以外の領域に形成され、前記リッジ近く以外の活性層,レーザ端面部の活性層の量子井戸構造が混晶化されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
