特許

J-GLOBAL ID：200903015146270908

プラズマ処理方法

発明者： 本田 昌伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319316
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156992
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】 高い対フォトレジスト選択比でのエッチングを可能にするエッチング方法および高い成膜レートでα-CF膜を形成できるCVD成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体を、フッ化炭素化合物を含む処理ガスによるプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、フッ化炭素化合物として、1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチンまたは1,1,1,4,4,5,5,5-オクタフルオロ-2-ペンチンなどの、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたCF3基とを含むフッ化炭素化合物を用いる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

被処理体を、フッ化炭素化合物を含む処理ガスによるプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、 前記フッ化炭素化合物は、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたCF3基とを含む化合物であることを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L21/302 101B ,  H01L21/312 A

Fターム (23件)：

5F004AA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB28 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA03 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F058AA06 ,  5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-325954   出願人：ソニー株式会社, 富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-072116   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-082717   出願人：東京エレクトロン株式会社
• フルオロカーボンのエッチングガスを用いた磁気的に増強されたプラズマエッチング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-567814   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ反応用ガス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-081893   出願人：日本ゼオン株式会社