特許
J-GLOBAL ID：200903066266563589
フルオロカーボンのエッチングガスを用いた磁気的に増強されたプラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 竹内 英人
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567814
公開番号（公開出願番号）：特表2004-512668
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
磁気的に増強された反応性イオンエッチング(MERIE)プラズマリアクター内で行なわれる酸化物エッチングである。エッチングガスは、ほぼ等しい量の水素のないフルオロカーボン、最も好適にはC4F6と酸素、および非常に大量のアルゴン希釈ガスを有する。磁界は、好適には約50ガウス以上に、また圧力は40ミリトル、あるいはそれ以上に、70ミリ秒より少ないチャンバ滞留時間で維持される。非常に高いアスペクト比を有するホールをエッチングするために、2(two)-ステッププロセスが用いられる。第2ステップにおいて、磁界及び酸素の流量が減少される。2より少ない、好ましくは1.6または1.5より多くないF/C比を有する他のフルオロカーボンで置き換えることもできる。
請求項（抜粋）：
ホトレジストに対して増大した選択度を有する酸化物層のエッチン方法であって、
エッチングされるべき前記酸化物層を有する基板を支持するペデスタル電極を有する磁気的に増強されたプラズマエッチングリアクターチャンバを備えるステップと、
(a)少なくとも4の炭素原子及び2より少ないF/C比を有するフルオロカーボン、(b)酸素、(c)アルゴン及びキセノンからなるグループから選択された化学的に不活性のキャリアガスを有するエッチングの混合ガスを前記チャンバへ流すステップと、
前記ペデスタル電極に実質的に平行で、35ガウスより大きな磁力を有する磁界を与えるステップと、
前記エッチングの混合ガスをプラズマに励起するために、前記ペデスタル電極にRF電力を与えるステップとを有し、それにより、少なくとも5:1の前記ホトレジストの面に対してエッチングの選択度を有する前記酸化物層を覆うホトレジストを有するパターン化されたホトマスクによって規定された前記酸化物層へホールをエッチンすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F004AA05
, 5F004BA04
, 5F004BB07
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004CA01
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004DB06
, 5F004EB01
