半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329621
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156382
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】半導体装置(バイポーラトランジスタ)において、ベースコレクタ間容量を低くして高周波特性を良好にする。【解決手段】この半導体装置はサブコレクタ層3を備えており、サブコレクタ層上にはコレクタ電極14が形成されている。さらに、サブコレクタ層上にはInGaP/GaAs/InGaPの3層構造のコレクタ層4乃至6が形成されている。コレクタ層上にはベース層7が形成され、ベース層上にはベース電極12が形成されている。ベース層上にはエミッタ層8を介してエミッタ電極11が形成されている。そして、ベース電極の真下側に位置するGaAs層が除去されて、この除去部分には低誘電体膜(例えば、SiO2 )が形成されている。

請求項（抜粋）：

サブコレクタ層と、該サブコレクタ層上に形成されたコレクタ電極と、前記サブコレクタ層上に形成され一層がGaAs層である複数層構造のコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたベース電極と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層と、前記エミッタ層上に形成されたエミッタ電極とを有する半導体装置において、前記ベース電極の真下側に位置する前記GaAs層が除去されて該除去部分に低誘電体膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

Fターム (12件)：

5F003AP05 , 5F003BA11 , 5F003BA92 , 5F003BC90 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BH07 , 5F003BH08 , 5F003BM03 , 5F003BP12 , 5F003BP96

引用特許：

審査官引用 (8件)

電子デバイス製造方法及びこの方法によるバイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-202602 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平3-108339
特開平1-241166

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