特許
J-GLOBAL ID：200903015176371997
研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205241
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072099
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】スクラッチや剥がれ、ディシング、エロージョンを抑制し、また、複雑な洗浄プロセスや研磨剤供給/処理装置を必要とせず、研磨剤や研磨布等の消耗品のコストを抑さえた研磨技術を提供する。【解決手段】溝を有する絶縁膜23上に形成された金属膜21を、酸化性物質と酸化物を水溶化する物質を含み、研磨砥粒を含まない研磨液で研磨する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成された凹凸を有する金属膜を研磨して平坦化する半導体装置の製造方法において、
前記金属膜の凹凸部分を酸化性物質により酸化させ金属酸化物を形成し、
前記金属酸化膜を前記金属膜のpH-酸化還元電位図においてpHおよび酸化還元電位が前記金属膜の腐食域にある水溶化物質により水溶化して前記金属酸化膜を溶出することにより前記金属膜を研磨し、
その研磨において前記金属酸化物の凸部分を研磨布の機械的摩擦により局所的に加熱することにより前記水溶化の反応を促進することにより、前記凸部分の金属酸化膜の研磨速度を凹部分の金属酸化膜の研磨速度より大きくして、
前記凹凸を有する金属膜を平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B37/00
, H01L21/306
H01L21/304 622C
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, H01L21/306 M
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058CB05
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 5F043AA22
, 5F043BB15
, 5F043BB30
, 5F043DD16
, 5F043EE08
, 5F043GG02
