特許

J-GLOBAL ID：200903015197895880

SOI基板の製造方法

発明者： 秋山 昌次 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  川合 信 ,  飛坂 優二 ,  田中 好一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039519
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220900
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性に優れたSOI層を有するSOI基板を提供すること。【解決手段】単結晶シリコン基板である第1の基板の表面側に水素イオン注入層を形成し、透明絶縁性基板である第2の基板の表面及び第1の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施して両基板を貼り合わせる。このようにして得られた単結晶Si基板10と透明絶縁性基板20の貼り合わせ基板をサセプタ33の上に載置して赤外線ランプ31の下に置き、Si-H結合の吸収帯を含む波数範囲の光を所定の時間だけ照射して水素イオン注入層11内の「微小気泡層」内に局在するSi-H結合を切断してシリコン薄膜層を剥離する。ここで、照射光は2200〜2300cm-1の「Si-H結合」吸収帯を含む波数範囲の赤外光である。Si結晶はこの吸収帯の光に対して事実上「透明」であるので、基板温度を高めることなく剥離が可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SOI基板の製造方法であって、 単結晶シリコン基板である第1の基板の表面側に水素イオン注入層を形成する第1のステップと、 第2の基板の表面及び前記第1の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す第2のステップと、 前記第1の基板の表面と前記第2の基板の表面とを貼り合わせる第3のステップと、 前記貼り合わせた基板にSi-H結合の吸収帯を含む波数範囲の光を照射して前記第1の基板からシリコン層を剥離して前記第2の基板の表面上にSOI層を形成する第4のステップと、 を備えていることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/02 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第3048201号公報
  
• 米国特許第6263941号明細書
  
• 米国特許第6513564号明細書
  
• 米国特許第6582999号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 薄膜転移及び薄膜分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-344701   出願人：リーティエン-シ
• 半導体部材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-208316   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体ウエハの接着前表面処理
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-136254   出願人：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレターテクノロジーズ, コミサリアアレネルジアトミク

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Analysis of platelet distribution in H ion-implantedsilicon"