半導体ウエハの接着前表面処理

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-136254
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142524
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】半導体ウエハの接着強度を高める前処理方法の提供。【解決手段】二つの対応する接着表面で二枚のウエハを接着するプロセスであって、(a)少なくとも一つの接着表面を活性化させる工程と、(b)接着表面を接触させる工程とを備え、工程(a)は前記接触すべき表面をブラッシングすることにより行われるプロセス。さらにドナーウエハに起因する層を剥離するプロセスである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マイクロエレクトロニクス、光学又は光電子での応用のために、二つの対応する接着表面で二枚のウエハを接着するプロセスであって、 (a)少なくとも一つの接着表面を活性化させる工程と、 (b)前記接着表面を接触させる工程とを備え、工程(a)は前記接触すべき表面をブラッシングすることにより行われることを特徴とするプロセス。

IPC (4件)：

H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/762 , H01L27/12

FI (7件)：

H01L21/02 B , H01L21/304 644C , H01L21/304 645C , H01L21/304 645Z , H01L21/304 647Z , H01L27/12 B , H01L21/76 D

Fターム (17件)：

5F032AA91 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032CA13 , 5F032DA01 , 5F032DA21 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA41 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA67 , 5F032DA71 , 5F032DA74 , 5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-119626
2つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-287648 出願人：日本電装株式会社
貼り合せ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-119457 出願人：信越半導体株式会社

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